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热蒸发系统

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热蒸发系统

  • 详细介绍

热蒸发系统

热蒸发系统

◆设备用途

用于制备导电薄膜、 半导体薄膜、 铁电薄膜、 光学薄膜等, 广泛应用于大专院校、 科研机构的科研及小批量生产。

◆设备组成

系统主要由蒸发真空室、E 型电子枪、热蒸发电极、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。

◆技术指标

极限真空度:≤6.7×10 Pa

恢复真空时间:从1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min

系统漏率:6. 7×10-7Pa.L/S;

真空室:真空室500x500 x600mm采用U型箱体前开门,后置抽气系统e型电子枪:阳极电压:6kv、8kv(1套)

坩埚:水冷式坩埚,四穴设计,每个容量11ml

功率:0-6KW可调电阻蒸发源(可选)

电压:5、10V

功率:电流300A,输出功率3Kw1套,可切换水冷电极3根,组成2个蒸发舟

基片尺寸:可放置4″基片

样品台:基片可连续回转,转速5-60转/分基片与蒸发源之间距离300-350mm加热温度 ≤800°C±1°C,可调手动控制样品挡板组件1套。

气路系统:质量流量控制器1路。

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